高周波ビルドアップ基板の設計~実装

2017/04/10

 

インピーダンスコントロール12種!8層ビルド基板

シングル
45Ω、50Ω
差動
90Ω、100Ω

上記を基本として10種のインピーダンスラインをコントロールする
高周波(USB3.1 10Gbps)ビルドアップ基板の設計~実装!

0603コンデンサ,Type-C-Plug,半田付用リードパッドまで
インピーダンスコントロール!
 
★詳細仕様★

8層ビルド(2-4-2)
L3-6樹脂埋め
スタック&フィルドビア
MinL/S=0.80/0.80mm
ニッケルパラディウム金(Ni+Pd+Au)
ハロゲンフリーFR-4 t=0.8mm

 

 



ビルドアップ
ビアと基材を一層ずつ積層、穴あけを行うことで
設計の自由度が高くなり、小型化・薄型化が可能となります。
穴あけにはレーザーが用いられ、穴位置により下記の通り名称が異なります。

スタガードビア 階段のようにビアの位置をずらしていきます。
スタックビア ビアの真上にビアを重ねます。
更に、全層直上に重ねたものを「フルスタックビア」といいます。
BH コア層内を接続するビア。コア層はドリルで穴あけします。

 

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