ベアチップ~SMAコネクタ間の
信号伝達をスムーズに行うため、
ベアチップ搭載部にキャビティ加工と
ワイヤーボンディング、
コネクタ実装部にはサイドスルー加工を行いました。
6層 | |
EL-230T | |
t1.6 | |
φ0.1㎜ | |
100/100μm | |
シングル50Ω+差動100Ω | |
2回 |
基板を切削してくぼみをつくります。
高周波デバイスのワイヤーボンディング実装では、
基板をキャビティ構造とすることで、
パッケージ~基板上面間の高低差を抑えて
ワイヤー長が最短となる様レイアウトでき、
ワイヤーが弓なりになることなく
ほぼ直線での結線が可能になります。