両面にベアチップを搭載して
ワイヤーボンディングを行うため、
L1-L3、L6-L8に
キャビティ加工を行いました。
ボンディングパッド部は62.5/62.5μmの
ファインピッチになっています。
★主な基板仕様★
8層 | |
EL-230T | |
t1.6 | |
φ0.1mm | |
62.5/62.5μm | |
シングル50Ω+差動100Ω | |
3回 |
基板を切削してくぼみをつくります。
高周波デバイスのワイヤーボンディング実装では、
基板をキャビティ構造とすることで、
パッケージ~基板上面間の高低差を抑えて
ワイヤー長が最短となる様レイアウトでき、
ワイヤーが弓なりになることなく
ほぼ直線での結線が可能になります。